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NXP Semiconductors
PESD3V3X1BL
Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
2. Pinning information
Table 2.
Pinning
Pin
1
Description
cathode (diode 1)
Simpli?ed outline
Graphic symbol
2
cathode (diode 2)
1
2
1
2
006aab041
Transparent
top view
3. Ordering information
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
PESD3V3X1BL
-
leadless ultra small plastic package; 2 terminals;
SOD882
body 1.0 × 0.6 × 0.5 mm
4. Marking
Table 4.
Marking codes
Type number
PESD3V3X1BL
Marking code
SS
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1]
-
9
kV
(contact discharge)
MIL-STD-883 (human
-
10
kV
body model)
PESD3V3X1BL_1
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 6 January 2009
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